2月26日消息，星計隨著NAND閃存技術(shù)競爭日益激烈，劃年三星電子公布的實現(xiàn)D使術(shù)路線圖顯示，計劃到2030年開發(fā)出1000層的層N儲專NAND閃存。

為了實現(xiàn)這一目標(biāo)，用長三星計劃引入一種名為“多BV”（multi-BV）的江存NAND結(jié)構(gòu)，通過堆疊四片晶圓來突破結(jié)構(gòu)限制。利技

三星電子DS部門首席技術(shù)官宋在赫（Song Jae-hyuk）透露，星計三星將采用晶圓鍵合技術(shù)，劃年分別制造外圍晶圓和單元晶圓，實現(xiàn)D使術(shù)然后將它們鍵合在一起形成單一的層N儲專半導(dǎo)體，這種技術(shù)預(yù)計將在三星的用長V10（第10代）NAND中首次應(yīng)用。

此前，江存三星在NAND生產(chǎn)中采用的利技是COP方法，即將外圍電路放在一塊晶圓上，星計然后將單元堆疊在上面，隨著層數(shù)的增加，底層外圍電路的壓力會影響可靠性。

為了實現(xiàn)更高的層數(shù)，三星決定與長江存儲合作，使用其混合鍵合專利技術(shù)，從V10 NAND開始，三星將引入這一技術(shù)。

據(jù)ZDNet報道，三星計劃在2025年下半年開始量產(chǎn)V10 NAND，預(yù)計層數(shù)將達到420至430層。

除了晶圓鍵合技術(shù)外，三星還計劃在未來的NAND生產(chǎn)中引入多種關(guān)鍵技術(shù)，包括低溫刻蝕和鉬的使用，這些技術(shù)將從400層NAND開始應(yīng)用。